作为全世界存储范畴的两年夜焦点企业，三星电子与SK海力士同步加年夜对于华投资力度，累计投入超1.5万亿韩元用在中国出产基地的工艺进级与产能扩容，

跟着全世界AI海潮鞭策存储需求发作，韩国两年夜存储巨头三星电子与SK海力士也同步加年夜了中国焦点出产基地投资，但愿经由过程合计超1.5万亿韩元(约78亿元人平易近币)的投资，晋升工艺，优化产能，巩固企业全世界上风的同时，也对于接中国高端存储的需求。q0Hesmc

三星电子将投资重点放于西安工场——其独一海外NAND出产基地，负担三星全世界NAND产能的40%以上，也是全世界单个产能最高的NAND闪存工场。据韩国金融监视院近日发布的数据显示，2024年重启对于华投资后，三星投入连续加码，2025年向西安工场投资4654亿韩元（约21.4亿元人平易近币），较上年的2778亿韩元同比增加67.5%。q0Hesmc

这次投资焦点是推进工艺迭代，将主力制程从128层（第六代）NAND进级至236层（第八代）NAND，同时启动X2产线向280层V9 NAND转换，规划2026年二季度落地。患上益在2026年美国商务部装备入口年度许可，三星有用规避审批危害，进级后西安工场将聚焦AI办事器、企业级SSD等高附加值产物，成为其全世界高端NAND焦点基地。q0Hesmc

SK海力士采纳无锡DRAM、年夜连NAND双基地并行进级计谋，2025年对于华投资超1万亿韩元，为2022年收购英特尔年夜连工场后初次万亿级年夜范围投入。此中，无锡工场获5810亿韩元投资，同比增加102%，已经完成1z工艺（第三代10nm级）向1a工艺（第四代）进级，90%产能完成转换，可量产DDR五、LPDDR5X等高规格产物，该工场负担SK海力士全世界30%至40%的DRAM产能，进级后成为高端DRAM焦点基地，优先保障AI数据中央需求。q0Hesmc

年夜连NAND工场投资4406亿韩元，增加52%，新增资金重要用在产能进级与技能研发，聚焦高端存储芯片出产以匹配AI、数据中央需求，正推进321层第九代NAND产线转换。针对于EUV装备限定，SK海力士采用“分段制造”计谋，将要害光刻步调放于韩国本土完成，再将晶圆运回无锡举行后续工序，破解技能管束难题。q0Hesmc

双巨头加码中国工场，焦点驱动力源在AI技能演进鞭策高机能存储需求激增，2026年全世界DRAM与NAND规划产量近乎售罄。中国作为全世界最年夜存储芯片消费市场，2025年范围达4580亿元人平易近币，同比增加7.3%，AI基础举措措施投资连续加码，供需缺口显著。q0Hesmc

瑞银证券猜测，2026年全世界半导体市场范围将同比增加超40%至1万亿美元，这一增加重要受存储涨价驱动，中国市场潜力成为巨头结构的主要支撑。q0Hesmc

战略层面，业内子士指出，出在掩护焦点技能的思量，海外工场工艺凡是较韩国本土掉队约两代，但这次两年夜巨头直接切入第八代、第九代进步前辈制程，既规避本土扩产危害，又能快速相应亚太市场需求。同时，中国拥有完备半导体财产链，可实现“当地化出产供给”，缩短交付周期，叠加财产搀扶政策，为投资提供不变预期。q0Hesmc

瞻望将来，2026年二季度将是投资要害节点，三星西安X2产线、SK海力士进步前辈NAND产线转换将慢慢落地，整年连续推进装备导入与产能爬坡。于AI海潮与财产链重构驱动下，两年夜巨头的中国结构，将鞭策中国成为全世界半导体财产主要增加引擎与立异中央。q0Hesmc